Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHS5441PT1G

MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHS5441PT

NTHS5441PT1G Hakkında

NTHS5441PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltaj ve 3.9A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. 46mOhm on-resistance değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. ChipFET™ paket teknolojisinde sunulan bu bileşen, yüzey montaj uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve motor kontrol sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 1.3W maksimum güç dağılımı ile enerji verimliliği sunar. Düşük gate charge (22nC) hızlı anahtarlama sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 710 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok