Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHS5402T1

MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHS5402

NTHS5402T1 Hakkında

NTHS5402T1, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 35mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile verimli enerji transferi sağlar. ChipFET™ paket teknolojisinde sunulan bu bileşen, yüzey montajı uygulamalarına uygun 8-pinli SMD konfigürasyonundadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum ±20V gate gerilimi toleransı ile koruma sağlar. Enerji yönetimi, motor kontrolü ve dijital devre uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.9A, 10V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok