Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHS4166NT1G
MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHS4166NT
NTHS4166NT1G Hakkında
NTHS4166NT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 4.9A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. ChipFET™ paketinde sunulan bu bileşen, 22mOhm ile çok düşük açık direnci (Rds On) sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 800mW güç dağıtabilir. Gate şarjı 18nC, giriş kapasitansi 900pF olarak belirlenmiştir. Bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 8-SMD yassı kurşun paket ile yüzey montajı için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 800mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok