Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHS4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 4.8A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHS4101
NTHS4101PT1G Hakkında
NTHS4101PT1G, onsemi tarafından üretilen P-kanal MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ile 4.8A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, düşük Rds On direnci (34mOhm @ 4.5V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda kullanılır. ChipFET paketleme teknolojisi ile üretilen ve 8-SMD yüzey montaj paketi içinde gelen NTHS4101PT1G, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir çalışma sağlar. 1.3W maksimum güç tüketimi ile termal yönetimi kolaylaştırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.8A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 16 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok