Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHS2101PT1G

MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHS2101

NTHS2101PT1G Hakkında

NTHS2101PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. ChipFET™ paketlemesi ile sağlanan bu bileşen, 8V drain-source voltajı ve 5.4A sürekli drenaj akımı özelliklerine sahiptir. 25mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybında çalışır. 1.3W güç tüketimi ve ±8V gate-source voltajı aralığı ile esnek uygulama imkanı sunar. Surface mount 8-SMD flat lead paketi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır. Anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları, load switch devreleri ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. Bileşen şu anda üretim dışıdır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2400 pF @ 6.4 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 5.4A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok