Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHL110N65S3F

MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3

Paket/Kılıf
TO-247-3
Seri / Aile Numarası
NTHL110N65S3F

NTHL110N65S3F Hakkında

NTHL110N65S3F, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 650V drain-source voltaj ve 30A sürekli dren akımı özelliğine sahip bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirmek üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, 110mΩ maksimum on-direnç değeri ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, 240W güç yayılımı kapasitesiyle endüstriyel güç dönüştürücüler, motor sürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve yüksek voltaj DC/DC konvertörleri gibi uygulamalarda kullanılır. ±30V gate voltajı aralığında çalışır ve 58nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2560 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 240W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package TO-247-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok