Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL080N120SC1A
SICFET N-CH 1200V 31A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL080N120SC1
NTHL080N120SC1A Hakkında
NTHL080N120SC1A, onsemi tarafından üretilen 1200V SiCFET (Silicon Carbide FET) teknolojisine dayalı N-channel MOSFET transistördür. 31A sürekli dren akımı kapasitesi ve 110mΩ on-state direnç değeri ile güç elektronikleri uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama devreleri, UPS sistemleri, DC-DC konvertörleri, solar inverterleri ve endüstriyel motor sürücü uygulamalarında tercih edilmektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) ve düşük kapasitans değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. Gate charge değeri 56nC olup, 20V drive voltage ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 178W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok