Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL080N120SC1
NTHL080N120SC1 Hakkında
NTHL080N120SC1, onsemi tarafından üretilen SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET'tir. 1200V drain-source gerilimi ve 44A sürekli drain akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme devreleri, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve endüstriyel elektronik sistemlerinde yer alır. 110mΩ maximum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. SiC teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama ve düşük kapasite özellikleri nedeniyle modern güç elektronik tasarımlarında tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok