Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL080N120SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, N-CHANNE
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL080N120SC
NTHL080N120SC1 Hakkında
NTHL080N120SC1, Rochester Electronics tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 1200V drain-source geriliminde 44A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 110mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybı karakteristiği sunar. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, enerji sistemleri, elektrikli araç sürücüleri ve yüksek frekans güç uygulamalarında tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama ve daha düşük ısı üretimi sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 44A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok