Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL060N090SC1
SICFET N-CH 900V 46A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL060N090SC1
NTHL060N090SC1 Hakkında
NTHL060N090SC1, onsemi tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistörüdür. 900V drain-source voltaj kapasitesi ve 46A sürekli drenaj akımı ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. 84mΩ (15V, 20A'da) on-state dirençi ve 87nC gate yükü özellikleri ile hızlı anahtarlama ve düşük güç kaybı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Güç kaynakları, invertörler, UPS sistemleri ve endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 221W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 84mOhm @ 20A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok