Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL040N120SC1
NTHL040N120SC1 Hakkında
NTHL040N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V 60A kapasiteli N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) teknolojisi transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj uygulamalarında düşük Rds(On) değeri (56mOhm @ 35A, 20V) ile verimli anahtarlama performansı sağlar. Güç kaybını minimum tutarak 348W'e kadar güç dağıtabilmesi, endüstriyel güç dönüştürücüleri, solar inverterleri, EV şarj cihazları ve UPS sistemlerinde tercih edilmesini sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, zorlu ortamlarda kullanım imkanı verir. 106nC gate charge ve düşük input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1781 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 348W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok