Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 103A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL020N120SC1
NTHL020N120SC1 Hakkında
NTHL020N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-Channel SiCFET (Silicon Carbide) transistördür. 103A sürekli dren akımı ve 28mΩ maksimum RDS(on) değeriyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürücüler, motor kontrolü, enerji depolama sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilmektedir. -55°C ile 175°C arasında çalışan transistör, 535W maksimum güç tüketimi ile tasarlanmış olup, Silicon Carbide teknolojisinin sağladığı düşük anahtarlama kaybı ve yüksek verimlilik özelliklerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 103A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 203 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok