Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHL020N090SC1
SICFET N-CH 900V 118A TO247-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHL020N090SC1
NTHL020N090SC1 Hakkında
NTHL020N090SC1, onsemi tarafından üretilen 900V N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFETdir. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, 118A sürekli drenaj akımı ve 28mOhm Rds(on) değeri ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 503W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, renewable energy inverterler ve traction sistemlerinde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu komponent, düşük gate charge (196nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar. SiC teknolojisi, geleneksel Si MOSFETlere kıyasla daha düşük ısı üretimi ve yüksek verimlilik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 118A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 196 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4415 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 503W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 15V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +19V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok