Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHD4P02FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHD4P02FT1G
NTHD4P02FT1G Hakkında
NTHD4P02FT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ile 2.2A sürekli dren akımı sağlayan bu komponent, ChipFET™ paketlemesi ile düşük profile uygulamalarda kullanılır. 155mΩ maksimum dren-kaynak direnci (Rds On) sayesinde düşük güç kaybı ile anahtarlama işlemlerini gerçekleştirir. Yalıtılmış Schottky diyot özelliğine sahip olan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, yük anahtarlaması ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok