Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHD4N02FT1G
MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHD4N02FT
NTHD4N02FT1G Hakkında
NTHD4N02FT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 2.9A sürekli dren akımı özelliğine sahiptir. ChipFET™ teknolojisi ile üretilen bu bileşen, entegre Schottky diyot içermektedir. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanal direnci sağlar. 4.5V gate geriliminde optimal performans gösterir. Surface mount 8-SMD flat lead pakajda sunulmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve voltaj regülatörlerde tercih edilir. 910mW maksimum güç tüketimi ile sinyal işleme ve kontrol uygulamalarında uygun bir seçimdir. Düşük gate yükü (4nC) hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 300 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 910mW (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok