Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHD4N02FT1

MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHD4N02FT1

NTHD4N02FT1 Hakkında

NTHD4N02FT1, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2.9A sürekli drain akımı ile tasarlanmıştır. ChipFET™ paketlemesi ile yüzey montajı uygulamalarında kullanılır. 80mΩ on-resistance (Rds On) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Entegre Schottky diyot içeren bu transistör, anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, güç dağıtım sistemlerinde ve solenoid sürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. 4 nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 910mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok