Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTHD3133PFT3G

MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHD3133

NTHD3133PFT3G Hakkında

NTHD3133PFT3G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim ve 3.2A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, ChipFET™ paket teknolojisinde sunulmaktadır. 80mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. Izole edilmiş Schottky diyot özelliğine sahip olan NTHD3133, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 8-SMD yüzey montaj paketinde integre edilmiştir. 7.4nC gate charge ve 680pF giriş kapasitansı değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 680 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 3.2A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok