Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHD3101FT3G
MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHD3101
NTHD3101FT3G Hakkında
NTHD3101FT3G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 3.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile kompakt SMD paketinde sunulur. 80mΩ RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. ChipFET teknolojisi kullanılarak üretilen bu bileşen, entegre Schottky diyot içermektedir. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) güvenilir çalışma sunar. Güç yönetimi uygulamaları, anahtarlama devreleri ve düşük gerilim anahtarlama sistemlerinde kullanılabilir. 8-SMD flat lead paketinde tedarik edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tj) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.4 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 680 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok