Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTHD2110TT1G
MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTHD2110
NTHD2110TT1G Hakkında
NTHD2110TT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 12V drain-source voltaj ile 4.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. ChipFET™ paketlemesinde sunulan bu bileşen, 40mOhm'luk düşük RDS(on) değeri ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. Sürekli güç dağıtımı 1.1W'tır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Surface mount 8-SMD flat lead paketinde mevcuttur. Anahtarlama uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol ve güç dağıtım sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1072 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 6.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok