Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L160N120SC1
SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1 Hakkında
NTH4L160N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-kanallı SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltaj ve güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum 17.3A devamlı dren akımı kapasitesine sahip olup, 224mOhm maksimum on-direnci ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında işletilebilir. Güç elektroniği, enerji dönüştürme, solar invertörler, elektrik araç şarj sistemleri ve endüstriyel motor sürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde daha hızlı anahtarlama ve düşük anahtarlama kayıpları sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 665 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 111W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok