Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L080N120SC1
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L080N120SC1
NTH4L080N120SC1 Hakkında
NTH4L080N120SC1, onsemi tarafından üretilen SiCFET teknolojisine dayalı N-Channel güç MOSFETidir. 1200V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 110mOhm maksimum on-resistance (Rds-On) değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel invertörler, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve renewable energy sistemlerinde tercih edilir. Silicon Carbide teknolojisi sayesinde hızlı anahtarlama ve düşük kayıplar ile verimli çalışma sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1670 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 20A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok