Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L060N090SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L060N090SC1
NTH4L060N090SC1 Hakkında
NTH4L060N090SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) N-Channel MOSFET transistörüdür. 900V drain-source gerilimi ve 46A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarına uygun şekilde tasarlanmıştır. 43mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-4L paketinde sunulan bu bileşen, enerji dönüştürme, invertör, solar sistemler ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 221W maksimum güç dağıtımına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 46A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 15 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1770 pF @ 450 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 221W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 20A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok