Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTH4L040N65S3F

MOSFET N-CH 650V 65A TO247-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
NTH4L040N65S3

NTH4L040N65S3F Hakkında

NTH4L040N65S3F, onsemi tarafından üretilen 650V yüksek gerilim N-Channel MOSFET'tir. 65A sürekli dren akımı ve 40mOhm maksimum RDS(on) değeri ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-247-4 paketinde temin edilen bu transistör, 158nC gate charge ve düşük giriş kapasitansı (5940pF @ 400V) sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi endüstriyel uygulamalara uygun hale getirir. Güç kaynakları, şarj cihazları, motor kontrol devreleri ve PFC (Power Factor Correction) uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±30V gate gerilim aralığı ve 5V threshold gerilimi ile standart sürücü devreleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 65A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5940 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 446W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 40mOhm @ 32.5A, 10V
Supplier Device Package TO-247-4L
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2.1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok