Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L040N120SC1
NTH4L040N120SC1 Hakkında
NTH4L040N120SC1, onsemi tarafından üretilen N-Channel SiCFET (Silicon Carbide Field Effect Transistor) transistördür. 1200V drain-source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olan bu bileşen, 58A sürekli dren akımı sınırlaması ile güç elektroniği devrelerinde yer alır. 56mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-4 paketlemesi ile montajı kolay olan transistör, -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Enerji dönüştürme sistemleri, invertörler, konvertörler ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 106 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1762 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 319W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 10mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok