Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTH4L027N65S3F

MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-247-4
Seri / Aile Numarası
NTH4L027N65S3F

NTH4L027N65S3F Hakkında

onsemi tarafından üretilen NTH4L027N65S3F, 650V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-kanallı MOSFET transistördür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 27.4mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 259nC gate yükü ve 7690pF giriş kapasitansi karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu transistör, 595W maksimum güç dağılımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Endüstriyel kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7690 pF @ 400 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-247-4
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 595W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27.4mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package TO-247-4L
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 3mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok