Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L022N120M3S
SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L022N120M3S
NTH4L022N120M3S Hakkında
NTH4L022N120M3S, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı bir N-channel MOSFET transistördür. 1200V drenaj-kaynak gerilimi ve 68A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 22mΩ (maksimum) ve 30mΩ (40A, 18V şartlarında) cinsinden düşük RDS(on) değeri sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. TO-247-4L paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme sistemleri, inverterler, şarj cihazları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 68A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 151 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3175 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 352W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30mOhm @ 40A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok