Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L020N120SC1
NTH4L020N120SC1 Hakkında
NTH4L020N120SC1, onsemi tarafından üretilen 1200V N-Channel Silicon Carbide (SiCFET) MOSFET transistörüdür. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 102A sürekli dren akımı kapasitesine ve 28mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 1200V dren-kaynak gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, fotovoltaik invertörler ve elektrikli araç uygulamalarında tercih edilir. 510W maksimum güç yayınlama kapasitesi ve düşük geçiş kayıpları sayesinde verimli anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 102A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 220 nC @ 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2943 pF @ 800 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 510W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 60A, 20V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +25V, -15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 20mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok