Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH4L015N065SC1
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH4L015N065SC1
NTH4L015N065SC1 Hakkında
NTH4L015N065SC1, onsemi tarafından üretilen Silicon Carbide (SiC) teknolojisine dayalı N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilimi ve 142A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 18mΩ maksimum RDS(On) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-247-4 paketinde sunulan bu bileşen, inverter devreleri, boost konvertörleri, motor sürücüleri ve renewable enerji sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 142A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V, 18V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 283 nC @ 18 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4790 pF @ 325 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-4 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 500W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 75A, 18V |
| Supplier Device Package | TO-247-4L |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.3V @ 25mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok