Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTH027N65S3F-F155
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTH027N65S3F
NTH027N65S3F-F155 Hakkında
NTH027N65S3F-F155, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim (Vdss) ve 75A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 27.4mOhm maksimum on-resistance (Rds On) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan bu transistör, güç dönüştürme, motor kontrol, endüstriyel sürücü ve renewable energy sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 595W güç yayınlama kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 259 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7690 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 595W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27.4mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 7.5mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok