Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTGS1135PT1G
MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTGS1135
NTGS1135PT1G Hakkında
NTGS1135PT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı ile çalışır. 31mΩ RDS(on) değeri ile düşük direnç kaybı sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzeye monte paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabil performans gösterir. 970mW güç yayılım kapasitesi ile röleleme, yük anahtarlaması, güç yönetimi ve batarya koruma uygulamalarında kullanılır. 21nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 970mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 4.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±6V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 850mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok