Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTGD4169FT1G

MOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
NTGD4169

NTGD4169FT1G Hakkında

NTGD4169FT1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ile çalışan ve maksimum 2.6A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance (90mOhm @ 4.5V) özellikleriyle tercih edilir. Entegre Schottky diyot içeren tasarımıyla anahtarlama uygulamalarında, güç yönetim devrelerinde ve motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 6TSOP (SOT-23-6) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -25°C ile 150°C arasında çalışabilir. 900mW maksimum güç tüketim kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanım görebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 295 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -25°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2.6A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok