Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTGD3147FT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTGD3147
NTGD3147FT1G Hakkında
NTGD3147FT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajı ve 2.2A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 145mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Isolasyon özelliğine sahip entegre Schottky diyodu bulunmaktadır. SOT-23-6 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve kontrol uygulamalarında tercih edilir. -25°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. 5.5nC gate charge karakteristiği hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Feature | Schottky Diode (Isolated) |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -25°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok