Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTF2955T1G
MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-261-4
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTF2955T1G
NTF2955T1G Hakkında
NTF2955T1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilim değeri ve 1.7A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle orta güç uygulamalarında kullanılır. SOT-223 (TO-261-4) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürüş geriliminde 185mOhm on-state direnç değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilen NTF2955T1G, switch uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve inverter tasarımlarında tercih edilir. Düşük gate charge değeri (14.3nC @ 10V) hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 492 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185mOhm @ 2.4A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-223 (TO-261) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok