Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTE2973
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT TO-3P
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTE2973
NTE2973 Hakkında
NTE2973, NTE Electronics tarafından üretilen N-Channel Enhancement Mode MOSFET'tir. TO-3P paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 900V Vdss (Drain-Source voltajı) ile güç elektronikleri, güç kaynakları, motor kontrolü ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 14A sürekli drenaj akımı ve 275W güç dağıtım kapasitesi ile orta ila yüksek güç seviyelerde çalışabilir. 10V gate sürüş voltajında 850mOhm maksimum Rds(On) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu komponent, endüstriyel ve ticari uygulamalarda güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 275W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok