Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTE2399
MOSFET N-CHANNEL 1KV 3.1A TO220
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTE2399
NTE2399 Hakkında
NTE2399, NTE Electronics tarafından üretilen 1000V drain-source gerilimi ve 3.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, yüksek gerilim uygulamalarında anahtar elemanı olarak kullanılır. 5Ω maksimum RDS(ON) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate charge karakteristiği 80nC @ 10V olup, hızlı komütasyon uygulamaları için uygundur. -55°C ile +150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir ve 125W maksimum güç tüketebilir. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri ve gerilim düzenleyicileri gibi uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 1.9A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok