Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTE2383

MOSFET P-CH 100V 10.5A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NTE2383

NTE2383 Hakkında

NTE2383, NTE Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 10.5A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 paketinde sunulan transistör, 75W maksimum güç tüketimi ile güç elektroniği devrelerinde, DC-DC konvertörlerde, motor kontrol uygulamalarında ve güç anahtarlaması gerektiren sistemlerde yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ve 300mΩ tipik kanal direnci ile verimli çalışma özellikleri sağlar. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 835 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.3A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok