Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTE2373

MOSFET P-CHANNEL 200V 11A TO220

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NTE2373

NTE2373 Hakkında

NTE2373, NTE Electronics tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source voltaj, 11A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve güç kaynakları tasarımında kullanılır. 10V gate sürme voltajında 500mOhm on-direnç değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında, 125W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500mOhm @ 6.6A, 10V
Supplier Device Package TO-220
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok