Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTDV5805NT4G

MOSFET N-CH 40V 51A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTDV5805NT4G

NTDV5805NT4G Hakkında

NTDV5805NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 51A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük 9.5mΩ RDS(on) değeri sayesinde ısı kaybını minimalize eder. 80nC gate charge ve 1725pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC konvertörler ve diğer power management devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile geniş işletme aralığında çalışır. Bileşenin status obsolete olarak belirtilmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 51A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1725 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok