Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTDV5804NT4G

MOSFET N-CH 40V 69A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTDV5804NT4G

NTDV5804NT4G Hakkında

NTDV5804NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi (Vdss) ile 69A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPAK) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç anahtarlaması uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 8.5mΩ maksimum on-state direnci (10V, 30A'de) ile verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, 71W maksimum güç tüketebilir. Gate charge değeri 45nC (10V'de) olarak belirlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 69A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2850 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 71W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok