Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTDV3055L104-1G
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTDV3055L104
NTDV3055L104-1G Hakkında
NTDV3055L104-1G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 104mOhm on-resistance değeri sayesinde verimli anahtarlama sağlar. Sürücü devreler, güç yönetim sistemleri, motor kontrol ve anahtarlanmış güç kaynakları gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve 5V gate sürüş gerilimi ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W (Ta), 48W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 104mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok