Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTDV20N06LT4G-VF01
NTDV20N06 - SINGLE N-CHANNEL LOG
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTDV20N06
NTDV20N06LT4G-VF01 Hakkında
NTDV20N06LT4G-VF01, Rochester Electronics tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 20A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 46mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, motor sürücüleri, güç kaynakları, anahtarlama regülatörleri ve endüstriyel denetim devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 175°C arası geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1015 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.88W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok