Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTDV18N06LT4G

MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTDV18N06LT4G

NTDV18N06LT4G Hakkında

NTDV18N06LT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 18A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, DPAK (TO-252-3) paketinde sunulmaktadır. 5V gate-source voltajında 65mOhm maksimum on-state direnci ile düşük güç kaybı karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi sayesinde geniş sıcaklık aralığında kullanım imkanı tanır. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan endüstriyel seviye bir transistördür. 22nC gate charge ve 675pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama performansı sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 675 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 55W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65mOhm @ 9A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok