Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD80N02G

MOSFET N-CH 24V 80A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD80N02G

NTD80N02G Hakkında

NTD80N02G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 24V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPAK) surface mount paketinde sunulan bu transistör, motor kontrolü, güç kaynakları, şarj devreleri ve DC-DC konvertörleri gibi yüksek akım gerekiren devre tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. 5.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. Teknik verilerine göre maksimum 75W güç dağıtabilir ve 10V gate geriliminde tam açma özelliği gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 24 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.8mOhm @ 80A, 10V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok