Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD80N02-1G
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD80N02
NTD80N02-1G Hakkında
NTD80N02-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan transistör, 5.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, motor kontrol, güç kaynakları, şarj devreleri ve indüktif yüklerin anahtarlanması gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 75W güç dağıtım kapasitesi ve ±20V gate gerilimi aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok