Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD80N02-001
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD80N02
NTD80N02-001 Hakkında
NTD80N02-001, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 24V Drain-Source gerilimi ile 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. TO-251-3 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi yapar. 5.8mOhm on-state direnci (Rds On) ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan transistör, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve otomoktif uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 75W maksimum güç yayılımı kapasitesi bulunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 24 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok