Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD78N03-1G
MOSFET N-CH 25V 11.4A/78A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD78N03
NTD78N03-1G Hakkında
NTD78N03-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V Drain-Source gerilimi ve 78A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, DC/DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Maksimum 64W güç dağıtma yeteneğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.4A (Ta), 78A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2250 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta), 64W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 78A, 10V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok