Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NTD6600NT4G

MOSFET N-CH 100V 12A DPAK

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
NTD6600N

NTD6600NT4G Hakkında

NTD6600NT4G, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. Surface Mount DPAK (TO-252-3) paketinde sunulan bu bileşen, düşük on-resistance (Rds On: 146mOhm @ 6A, 5V) ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. LED sürücüleri, voltaj dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 5V gate drive voltajı ile logic seviye kontrol sağlar. Maksimum gate gerilimi ±20V'dir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 146mOhm @ 6A, 5V
Supplier Device Package DPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok