Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD6600N-1G
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD6600N
NTD6600N-1G Hakkında
NTD6600N-1G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, anahtarlama uygulamaları ve yük sürücü uygulamalarında tercih edilir. 5V gate sürücü gerilimine uyumlu olup, 146mΩ maksimum RDS(on) değeri ile minimum iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Taşıyıcı sıcaklıkta maksimum 56.6W güç tüketim kapasitesine sahiptir. NOT: Bu parça kullanımdan kaldırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 146mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok