Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD6600N-001
MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD6600N
NTD6600N-001 Hakkında
NTD6600N-001, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Drain-Source gerilimi ve 12A sürekli dren akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. TO-251 (IPAK) paketinde sunulan bu transistör, 5V gate sürüş geriliminde 146mOhm maksimum on-direnci ile verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor kontrol uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile koruma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 146mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok