Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NTD6600N
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTD6600N
NTD6600N Hakkında
NTD6600N, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 5V gate drive voltajında 146mΩ on-resistance değerine sahiptir. TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketi ile sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. Geniş sıcaklık aralığında (-55°C ~ 175°C) çalışabilir. Gate charge özellikleri ve düşük input kapasitesi sayesinde hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.28W (Ta), 56.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 146mOhm @ 6A, 5V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok